HCE41J256M16MB型4Gb DDR3 SDRAM

◆产品主要特性

◆VDD=VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)

◆8 banks

◆8n-bit 预取架构

◆全差分时钟输入(CK,CK)运行

◆双向差分数据选通(DQS, DQS)

◆在芯片DLL将DQ、DQS和DQS转换与CK转换对 齐

◆DM掩码在数据选通的上升沿和下降沿写入数据

◆所有地址和控制输入，除了数据、数据频闪和数据掩码锁存在时钟的上升沿

◆支持可编程CAS延迟 5至14

◆支持可编程附加延迟0,CL-1和CL-2

◆可编程CAS写入延迟(CWL) = 5, 6, 7, 8, 9, 10

◆可编程的爆发长度4/8，具有半字节顺序和交错模 式

◆BL 即时切换

◆MRS选择的驱动强度

◆动态片上终止

◆异步复位引脚

◆内部(自我)校准:通过ZQ引脚进行内部自我校准

◆(RZQ: 240欧姆±1%)

◆符合 JEDEC