HCE51200H—拉/灌DDR终端稳压器

HCE51200H器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专用于低输入电压、低噪声系统。

        HCE51200H器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专用于低输入电压、低噪声系统。

        HCE51200H能够保持快速瞬态响应,最低仅需20μF输出电容。HCE51200H支持远端采样功能并且可满足DDR、DDR2、DDR3、低功耗DDR3和DDR4总线的所有电源要求。

        HCE51200H还提供一个PGOOD信号监测输出功能,提供一个EN信号在S3(挂起至RAM)期间针对DDR进行VTT放电。

        该产品采用高效散热焊盘10引脚CDFN10封装。

◆ 金属、陶瓷全密封封装

◆ 总规范:GJB597B-2012

◆ 详细规范:Q/RB 21932-2022

◆ 输入电压:VIN=2.375V~3.5V;VLDOIN=1.1V~3.5V

◆ 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流

◆ 具有监视输出稳压的PGOOD功能

◆ 所需最小输出电容为20μF

◆ REFIN能直接或通过电阻分压器进行输入跟踪

◆ 远端感测(VOSNS)

◆ ±10mA 缓冲基准(REFOUT)

◆ 内置软启动、欠压锁定、和过流保护

◆ 支持DDR~DDR3、低功耗DDR3和DDR4VTT应用

◆ 工作温度(TC):-55℃~+125℃

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