HCE68M605是一款集成了N-MOSFET的过压过流保护开关,具有可设置输入过压保护、输出过压钳位和输出过流保护的过压过流开关。还可以通过外部器件调节输出电压的软启动时间,控制输出电压上升的斜率。独立的使能控制允许复杂 的系统上电顺序控制。该器件还集成了过温保护功能。
该芯片工作电压宽,输入电压范围为4V~48V。为了降低芯片损耗,集成了阻抗极低的N-MOSFET,导通阻抗仅为40mΩ。芯片尺寸仅为3mm×3mm,外围器件简单,可以灵活应用于各种需要保护的场合,提升系统的可靠性。
◆ 内部裸芯片采用倒装焊工艺组装,塑封封装
◆ 工作温度(Tc):-55℃~125℃
◆ 输入范围4V~48V,最大浪涌电压可达到60V
◆ 超低内置 MOS的导通电阻:40mΩ
◆ 软启动时间可调
◆ 限流点可调,最大限流点为5A
◆ 可自恢复的热保护功能
◆ 可调的输入过压保护,自动恢复
◆ 可调的输出钳位电压,自动恢复
◆ 提供独立的使能端口
◆ QFN3×3-16